平衡半导体与传统半导体的区别

半导体可以分为平衡半导体和非平衡半导体两种。其中，平衡半导体指的是在热平衡状态下的半导体，其少子浓度等于多子浓度，同时，其载流子浓度随温度的变化呈指数规律变化。而非平衡半导体则指的是在外加电场、光照等外部作用下，半导体处于非平衡状态，其载流子浓度不再遵循热平衡的规律，而是受到外部作用的影响产生变化。

半导体的分类可以从多个角度进行划分，如按照应用领域可以分为集成电路、分立器件、传感器和光电子器件等四类。其中，集成电路是半导体产业中最大的消费领域，其长期占据半导体总销售额80%以上。此外，集成电路还可以细分为模拟电路、微处理器、逻辑电路、存储器四个领域。

半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）等。这些半导体材料在形成晶体结构时，加入特定的杂质元素后，导电性能具有可控性，并且在光照和热辐射条件下，其导电性还有明显的变化。

半导体的运动规律与其载流子的扩散和漂移有关。其中，扩散是指载流子在浓度梯度作用下的运动，而漂移则是指载流子在外加电场下的运动。载流子的扩散和漂移都会对半导体器件的性能产生影响。

在半导体中，外部作用撤除后，非平衡载流子会逐渐消失，半导体回到原来的平衡状态。这一过程称为非平衡载流子的复合，其平均生存时间被称为非平衡载流子的寿命。由于非平衡载流子中，非平衡少子的影响处于主导地位，故非平衡载流子寿命常称为少数载流子寿命。

半导体材料的少子浓度与多子浓度的变化可以通过连续性方程来描述。在一维均匀半导体中，总电流密度可以分为漂移贡献和扩散贡献两部分，其中，漂移贡献来源于载流子在外加电场下的运动，扩散贡献来源于载流子在浓度梯度作用下的运动。在稳定状态下，少子浓度随位置的变化呈指数规律变化，其指数衰减的常数为扩散长度。

总之，半导体可以分为平衡半导体和非平衡半导体两种，其中非平衡半导体的载流子浓度受外部作用的影响产生变化。半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间，其运动规律与载流子的扩散和漂移有关，扩散和漂移都会对半导体器件的性能产生影响。